Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического примененияLitres, 22 янв. 2014 г. В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов. |
Содержание
Введение | 3 |
Глава1Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками | 7 |
Глава2Изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур в результате введения структурных дефектов при радиа... | 67 |
Глава3Дозовые ионизационные эффекты в структуре SiSiO2 | 81 |
Глава4Влияние космической радиации на характеристики приборов и микросхем изготовленных на основе МОПструктур | 149 |
Глава5Особенности радиационных испытаний приборов и микросхем на основе МОП и КМОПструктур | 184 |
Глава6Особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения эффект ... | 210 |
Глава7Одиночные события в БИС при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства | 233 |
| 289 | |
Список сокращений | 298 |
Часто встречающиеся слова и выражения
атомов биполярных большой будет валентной зоны вблизи величины взаимодействия виде влияние водорода воздействии времени высоких высокоэнергетических гамма-излучения гамма-квантами границы данные дефектов диоксида кремния диэлектрика дозового дырки дырок зависимости зависит заряда в оксиде затвором значение ЛПЭ изделия изменения инжекции ионизации ионизационных ионизационных потерь ионизирующего излучения ионизирующих частиц ионов испытаний концентрации космического которых кремния кристалла ловушки лучения метод могут может можно мощности дозы МэВ наблюдается накопление заряда накопление ПС нейтронов низкой нм носителей заряда ных области облучаемого образования образом Однако оксиде заряда определяется основных отжига отказа паразитного параметров поверхностных поглощенной дозы подзатворного оксида показано полевом оксиде полупроводника после облучения ПП и ИС приборов приводит протонов процессов радиационно-индуцированного различных результате рекомбинации рис сдвиг порогового напряжения сдвига напряжения сечения скорость скрытом оксиде Следует случае смещения состоянии структуры температуре технологии ТЗЧ типа тока утечки транзисторов трека туннелирования уровня флюенса фотонов часто эВ электрического поля электронно-дырочных пар электронов энергетическое энергии эффект является DVot ELDRS Si/SiO2 SiO2